Tại hội nghị Future of Memory and Storage (FMS) 2026 diễn ra tại California, Samsung Electronics đã chính thức trình làng các mẫu thử nghiệm công nghệ bộ nhớ 3D thế hệ mới, bao gồm z-axis High Bandwidth Memory (zHBM) và zNAND-O. Đây là bước tiến chiến lược nhằm tối ưu hóa hiệu năng và mức tiêu thụ năng lượng cho các hệ thống tính toán hiệu năng cao (HPC) cũng như hạ tầng trí tuệ nhân tạo.
Khác với kiến trúc truyền thống vốn đặt bộ nhớ HBM xung quanh chip gia tốc AI (xPU), zHBM cho phép xếp chồng bộ nhớ trực tiếp lên phía trên vi xử lý theo chiều dọc (trục z). Thiết kế này giúp rút ngắn tối đa khoảng cách di chuyển của dữ liệu, mang lại hiệu năng xử lý gấp tới 8 lần so với thế hệ HBM5, đồng thời tăng hiệu suất năng lượng trên mỗi watt lên 3 lần và giảm hơn 50% trở nhiệt. Ngoài ra, zHBM còn cho phép các đối tác tích hợp thêm các khối IP bán dẫn vào lớp giữa để tùy biến bộ nhớ và tối ưu hóa cho từng tác vụ AI riêng biệt.
Bên cạnh zHBM, Samsung cũng giới thiệu giải pháp zNAND-O hướng tới các ứng dụng AI trên thiết bị (on-device AI). Công nghệ này kết hợp kiến trúc V10 BV-NAND với hơn 400 lớp xếp chồng cùng kỹ thuật kết nối xuyên silicon TSV, giúp tăng tối đa băng thông đọc và giảm độ trễ khi xử lý lượng dữ liệu lớn theo thời gian thực.
Đột phá công nghệ này từ Samsung hứa hẹn giải quyết triệt để nút thắt cổ chai về băng thông bộ nhớ trong quá trình huấn luyện và suy luận các mô hình LLM lớn. Đối với cộng đồng AI Việt Nam, sự phát triển của các phần cứng thế hệ mới sẽ đặt nền móng cho các dịch vụ đám mây mạnh mẽ hơn và mở ra cơ hội triển khai các mô hình AI trực tiếp trên thiết bị cá nhân với chi phí tối ưu.
Nguồn: Hacker News — Biên dịch & tổng hợp: danhbaai.com